因为蓝宝石基板的导热系数差，影响led照明灯的发光效率。为了处理led照明灯的散热难题，未来有可能将主要采取垂直构造LED的架构，促成LED产业的技术发展。对于垂直构造LED技术信赖大家都有所耳闻，下面仅从技术表层进行介绍，谨供参考。
我们知道，led照明灯芯片有两种基本构造，横向构造（Lateral）和垂直构造（Vertical）。横向构造LED芯片的两个电极在LED芯片的同一侧，电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的间隔。垂直构造的LED芯片的两个电极辨别在LED外延层的两侧，因为图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极，使得电流几乎全部垂直流过LED外延层，极少横向流动的电流，可以改良平面构造的电流散布问题，提高发光效率，也可以处理P极的遮光问题，提升LED的发光面积。
我们先来了解下垂直构造led照明灯的制造技术与基本方法：
制造垂直构造led照明灯芯片技术主要有三种方法：
一、采取碳化硅基板成长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，短缺处是硅基板会吸光。
二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，短缺处是须对LED表面进行处理以提高发光效率。
三、是采取异质基板如硅基板成长氮化镓LED磊晶层，优点是散热好、易加工。
制造垂直构造LED芯片有两种基本方法：剥离成长衬底和不剥离成长衬底。其中成长在砷化镓成长衬底上的垂直构造GaP基LED芯片有两种构造：
不剥离导电砷化镓成长衬底：在导电砷化镓成长衬底上层迭导电DBR反射层，成长GaP基LED外延层在导电DBR反射层上。
剥离砷化镓成长衬底：层迭反射层在GaP基LED外延层上，键合导电支持衬底，剥离砷化镓衬底。导电支持衬底包含，砷化镓衬底，磷化镓衬底，硅衬底，金属及合金等。
另外，成长在硅片上的垂直GaN基LED也有两种构造：
不剥离硅成长衬底：在导电硅成长衬底上层迭金属反射层或导电DBR反射层，成长氮化镓基LED外延层在金属反射层或导电DBR反射层上。
剥离硅成长衬底：层迭金属反射层在氮化镓基LED外延层上，在金属反射层上键合导电支持衬底，剥离硅成长衬底。
再简单解释制造垂直氮化镓基LED工艺流程：层迭反射层在氮化镓基LED外延层上，在反射层上键合导电支持衬底，剥离蓝宝石成长衬底。导电支持衬底包含，金属及合金衬底，硅衬底等。
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